{"id":207,"date":"2012-02-15T21:18:30","date_gmt":"2012-02-15T21:18:30","guid":{"rendered":"http:\/\/www1.herrera.unt.edu.ar\/facetinforma\/?p=207"},"modified":"2012-02-15T21:18:30","modified_gmt":"2012-02-15T21:18:30","slug":"curso-de-posgrado","status":"publish","type":"post","link":"https:\/\/www.facet.unt.edu.ar\/facetinforma\/2012\/02\/15\/curso-de-posgrado\/","title":{"rendered":"Curso de Posgrado"},"content":{"rendered":"

CURSO DE POSGRADO:<\/span> Nanoestructuras de Semiconductores<\/strong><\/p>\n

Expositor y Coordinador:<\/span> Dr. David Comedi, Investigador CONICET (Categor\u00eda Independiente), Director de \u201cNanoProject\/FACET\u201d (www.herrera.unt.edu.ar\/nano<\/a>) y miembro del Laboratorio de F\u00edsica del S\u00f3lido-UNT.<\/p>\n

Duraci\u00f3n:<\/span> 64 horas\u00a0 (del 15 de Marzo de 2012 al 30 de Junio de 2012).<\/p>\n

Horarios semanales:<\/span> A ser consensuado con los alumnos de acuerdo a disponibilidad horaria.<\/p>\n

Lugar:<\/span>\u00a0Sala de Claustro del Departamento de\u00a0F\u00edsica\u00a0y Sala de Audiovisuales de la FACET, Av. Independencia 1800, San Miguel de Tucum\u00e1n.<\/p>\n

Objetivos<\/span>:
Impartir conocimientos te\u00f3ricos y aplicados que permitan al alumno interpretar las propiedades de nanoestructuras de semiconductores y sus aplicaciones en t\u00e9rminos de los \u00e1tomos constituyentes. Dar a conocer al alumno las t\u00e9cnicas m\u00e1s populares de fabricaci\u00f3n de nanoestructuras de semiconductores y principios de operaci\u00f3n de dispositivos electr\u00f3nicos y optoelectr\u00f3nicos selectos basados en las mismas. Introducir las principales cuestiones de actualidad relacionadas con la investigaci\u00f3n de nanoestructuras de semiconductores.<\/p>\n

Contenido<\/span>:
1. Fundamentos de la F\u00edsica de semiconductores (estructura cristalina, teor\u00eda de bandas, masa efectiva, defectos, desorden, estados electr\u00f3nicos extendidos y localizados, excitaciones electr\u00f3nicas elementales, interacci\u00f3n con la radiaci\u00f3n electromagn\u00e9tica, semiconductores de los grupos IV, III-V y II-VI, dopaje e interfaces).
2. T\u00e9cnicas de fabricaci\u00f3n de l\u00e1minas finas y nanoestructuras de semiconductores (epitax\u00eda, deposici\u00f3n f\u00edsica y qu\u00edmica de vapor, t\u00e9cnicas de nanoestructuraci\u00f3n de l\u00e1minas, crecimiento de nanoestructuras, transporte de vapor, mecanismo vapor-l\u00edquido-s\u00f3lido, autoensamblado, t\u00e9cnicas a partir de qu\u00edmica h\u00fameda, sinterizaci\u00f3n).
3. Estructura electr\u00f3nica y procesos f\u00edsicos en nanoestructuras de semiconductores (pozo cu\u00e1ntico, confinamiento cu\u00e1ntico, super-red, punto, hilo y capa cu\u00e1nticos,\u00a0 estados de superficie e interfaz, cuantizaci\u00f3n de bandas, formaci\u00f3n de minibanda, excitaci\u00f3n y mecanismos de recombinaci\u00f3n de portadores en sistemas reales).
4. Dispositivos electr\u00f3nicos y optoelectr\u00f3nicos selectos basados en nanoestructuras de semiconductores (emisores de luz, l\u00e1ser, fotodetector, sensores).
5. Desarrollos actuales, estado de arte y tendencias a futuro en la investigaci\u00f3n de las nanoestructuras de semiconductores.<\/p>\n

Requisitos para aprobar<\/span>:<\/strong> 75% de asistencia a las clases, dos pr\u00e1cticos individuales, examen final.<\/p>\n

Requisitos previos:<\/span> Estudios de F\u00edsica b\u00e1sica (Mec\u00e1nica, Termodin\u00e1mica, Electromagnetismo, F\u00edsica Cu\u00e1ntica).\u00a0<\/p>\n

Informaci\u00f3n adicional:<\/span> dcomedi@herrera.unt.edu.ar<\/a><\/div>\n","protected":false},"excerpt":{"rendered":"

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