Becas Master/Doctorado 2013

Las becas Máster se otorgarán a graduados universitarios con excelentes calificaciones académicas y profesionales para realizar maestrías o doctorados en universidades de los Estados Unidos.
Las becas para maestrías y doctorado se otorgan en todos los campos de estudio con excepción de: arte, medicina, farmacia, odontología, psicología, traductorado y administración de empresas.
Requisitos: nacionalidad argentina; título universitario o terciario (mínimo cuatro años); siete puntos como mínimo de promedio académico (incluyendo aplazos); hasta 38 años de edad; excelente dominio del idioma inglés; experiencia profesional o docente después de recibido (dos años); fondos personales (para determinadas universidades); compromiso de volver al país.
Beneficios: pasaje de ida y vuelta, estipendio mensual, seguro de salud, aranceles y matrícula de la universidad (total o parcial, dependiendo de la universidad).
Duración: Uno a dos años. Los becarios comenzarán el programa académico en los Estados Unidos en el mes de agosto del siguiente año.
Plazo de inscripción: Desde el 1 de febrero al 16 de abril de 201 2.
Los candidatos deberán completar directamente una solicitud online: http://fulbright.edu.ar/ful-online/login.php
Más información: Comisión Fulbright – Viamonte 1653 2º (C1055ABE) Buenos Aires, Argentina – Tel (54 11) 4814-3561/2/1956 – (54 11) 4811-1494 – Fax: 4814-1377 – Correo electrónico: info@fulbright.com.ar Web: www.fulbright.edu.ar
 

Se informa a la comunidad de la Facultad de Ciencias Exactas y Tecnología, que se encuentra abierta la fase de envíos de resumenes para participar en el Foro Mundial de Educación de Ingeniería WEEF 2012 que en esta oportunidad se llevará acabo en nuestro país. 

                                    Para más detalles consultar http://weef2012.edu.ar.

 Ing. Jorge Molina – Director de Relaciones Institucionales

UTN-FRT – Rivadavia 1050- 1er. Piso – Oficina 221

Tucumán – Argentina

CURSO DE POSGRADO: Nanoestructuras de Semiconductores

Expositor y Coordinador: Dr. David Comedi, Investigador CONICET (Categoría Independiente), Director de “NanoProject/FACET” (www.herrera.unt.edu.ar/nano) y miembro del Laboratorio de Física del Sólido-UNT.

Duración: 64 horas  (del 15 de Marzo de 2012 al 30 de Junio de 2012).

Horarios semanales: A ser consensuado con los alumnos de acuerdo a disponibilidad horaria.

Lugar: Sala de Claustro del Departamento de Física y Sala de Audiovisuales de la FACET, Av. Independencia 1800, San Miguel de Tucumán.

Objetivos:
Impartir conocimientos teóricos y aplicados que permitan al alumno interpretar las propiedades de nanoestructuras de semiconductores y sus aplicaciones en términos de los átomos constituyentes. Dar a conocer al alumno las técnicas más populares de fabricación de nanoestructuras de semiconductores y principios de operación de dispositivos electrónicos y optoelectrónicos selectos basados en las mismas. Introducir las principales cuestiones de actualidad relacionadas con la investigación de nanoestructuras de semiconductores.

Contenido:
1. Fundamentos de la Física de semiconductores (estructura cristalina, teoría de bandas, masa efectiva, defectos, desorden, estados electrónicos extendidos y localizados, excitaciones electrónicas elementales, interacción con la radiación electromagnética, semiconductores de los grupos IV, III-V y II-VI, dopaje e interfaces).
2. Técnicas de fabricación de láminas finas y nanoestructuras de semiconductores (epitaxía, deposición física y química de vapor, técnicas de nanoestructuración de láminas, crecimiento de nanoestructuras, transporte de vapor, mecanismo vapor-líquido-sólido, autoensamblado, técnicas a partir de química húmeda, sinterización).
3. Estructura electrónica y procesos físicos en nanoestructuras de semiconductores (pozo cuántico, confinamiento cuántico, super-red, punto, hilo y capa cuánticos,  estados de superficie e interfaz, cuantización de bandas, formación de minibanda, excitación y mecanismos de recombinación de portadores en sistemas reales).
4. Dispositivos electrónicos y optoelectrónicos selectos basados en nanoestructuras de semiconductores (emisores de luz, láser, fotodetector, sensores).
5. Desarrollos actuales, estado de arte y tendencias a futuro en la investigación de las nanoestructuras de semiconductores.

Requisitos para aprobar: 75% de asistencia a las clases, dos prácticos individuales, examen final.

Requisitos previos: Estudios de Física básica (Mecánica, Termodinámica, Electromagnetismo, Física Cuántica).